三星2021年将推芯片新技术 性能提高35%能耗降50%
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（原问题：Samsung beats chip rivals with 'g b50 ate all around' speed-boosting tech）
图示：三星的3纳米环抱栅极技能（GAA）可以或许对芯片晶体管举办从头计划 网易科技讯 5月15日动静，据海外媒体报道，三星将于2021年向市场推出一项打破性的处理赏罚器技能，对最根基的电子元件举办根天性改革，使芯片机能进步35%，同时使能耗低落50%。 据悉，内地时刻周二三星在于加州圣克拉拉进行的三星锻造论坛(Samsung Foundry Forum)上公布，这项名为“3纳米环抱栅极”(gate all around，GAA)的技能可以或许对芯片焦点晶体管举办从头计划和改革，使其更小更快。到2021年，应用这种技能的芯片问世后将成为三星与英特尔和台积电等竞争敌手的比武中迈出的重要一步。三星但愿借此加速芯片行业的成长步骤。连年来，芯片行业一向难以降服极度小型化带来的工程挑衅。 国际贸易计谋咨询公司(International Business Strategies)首席执行官汉德尔·琼斯(Handel Jones)暗示，三星强盛的原料研究项目正在取得成效。 他暗示:“三星在GAA方面领先台积电约莫一年时刻。”“而英特尔也许落伍三星两到三年。” 三星的前进将延迟摩尔定律所描写的行业前进，确保我们的手机、手表、汽车和家庭互联装备能变得更智能。在GAA技能的辅佐下，至少在将来几年，用户可以等候呈现更好的图形处理赏罚技能、更智能的人工智能和其他计较方面的改造。 “GAA将符号着我们代家产务进入一个新期间，”三星代家产务营销副总裁瑞安李(Ryan Lee)在本次勾当上暗示。（辰辰）
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