速率翻2倍为5G手机铺路 西数宣布UFS3.0存储芯片

从2017年UFS2.1遍及到现在已经有两年了，一年前JEDEC（固态技能协会）正式发布了UFS3.0的技能尺度：单通道可以到达11.6 Gbps，是UFS 2.1尺度的两倍。

目前年一月份，东芝公布开始出货UFS3.0产物，回收了96层3D NADA，并提供了256Gb和512Gb单颗Die容量。本日在MWC19展会现场，Western Digital（西部数据）公布将推出最大容量为512Gb的UFS3.0芯片，同样回收了96层的3D TLC NADA。

西部数据的UFS3.0芯片

西数最新的3D NAND存储器还支持其专有的iNAND SmartSLC Gen 6技能，该技能能最大限度地进步次序写入速率。着实也就是用TLC模仿SLC缓存，与今朝m.2固态芯片相同。

着实就是TLC模仿SLC

行使该技能后，持续写入速率这可以高达750MB/s，更高的一连写入速率能辅佐5G期间的装备最大化的操作高速的收集带宽。

其他成果上，Western Digital的EFD支持UFS 3.0错误汗青记录，可以举办固件热进级。

今朝，Western Digital打算提供64 GB，128 GB，256 GB和512 GB四种存储巨细的UFS3.0芯片，并所有行使行业尺度的11.5×13×1 mm封装。预计再过半年，我们就能看到有装备行使UFS3.0芯片了。

（编辑：河北网）

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