长江存储公布128层闪存芯片研发乐成 每颗1.33Tb

网易科技讯 4月13日动静，长江存储今天在官网公布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发乐成，并已在多家节制器厂商SSD等终端存储产物上通过验证。

长江存储暗示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产物中最高单元面积贮储密度，最高I/O传输速率和最高单颗NAND闪存芯片容量。此次同时宣布的尚有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片X2-9060，以满意差异应用场景的需求。

据相识，每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写机能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速度。

长江存储暗示，公司用短短3年时刻实现了从32层到64层再到128层的超过。

另据财联社报道，估量2020年底-2021年中旬延续量产，方针到达月产能10万片；供给链动静透露，这款闪存已送样。

（编辑：河北网）

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