第三代HBM2E显存公布：针脚带宽增加33%至3.2Gbps、三星拿下首发

本周，固态存储协会（JEDEC）宣布第三版HBM2存储尺度JESD235C，将针脚带宽进步到3.2Gbps，前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps，环比晋升33%。

凭证计划类型，单Die最大2GB、单仓库12 Die（无尺度高度限定），也就是24GB容量，匹配1024bit位宽，单仓库理论最大带宽410GB/s。对付支持四仓库（4096bit）的图形芯片来说，总带宽高达1.64TB/s。

第三代HBM2的电压和上一版同等，为1.2V，比第一代的1.35V有所降落。

简朴较量下，常见高端独显回收的256bit GDDR6，凭证14Gbps的针脚带宽计较，总带宽448GB/s，也就是第三代HBM2一个仓库的程度。思量到HBM2更轻易扩充总线宽度，GDDR6矫枉过正，何况单仓库最大容量就能到达24GB，四仓库直逼100GB。

图为HBM显存表示

究竟上，3.2Gbps的第三代HBM2起初已经过三星和SK海力士提出，并改名为HBM2E，这种说法也获得了JEDEC默认。

在JESD235C尺度宣布的同时，三星公布，名为Flashbolt（前两代名为Flarebolt和Aquabolt）的第三代HBM2（HBM2E）存储芯片将在上半年量产，单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。

三星的第三代HBM2E乃至支持超频，单针脚可加快到4.2Gbps，单仓库最大带宽从而升至538GB/s。

（编辑：河北网）

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