第三代HBM2E显存发布:针脚带宽增进33%至3.2Gbps、三星拿下首发
本周,固态存储协会(JEDEC)宣布第三版HBM2存储尺度JESD235C,将针脚带宽进步到3.2Gbps,前两版中依次是2Gbps、2.4Gbps,环比晋升33%。 凭证计划类型,单Die最大2GB、单仓库12 Die(无尺度高度限定),也就是24GB容量,匹配1024bit位宽,单仓库理论最大带宽410GB/s。对付支持四仓库(4096bit)的图形芯片来说,总带宽高达1.64TB/s。 第三代HBM2的电压和上一版同等,为1.2V,比第一代的1.35V有所降落。 简朴较量下,常见高端独显回收的256bit GDDR6,凭证14Gbps的针脚带宽计较,总带宽448GB/s,也就是第三代HBM2一个仓库的程度。思量到HBM2更轻易扩充总线宽度,GDDR6矫枉过正,何况单仓库最大容量就能到达24GB,四仓库直逼100GB。 图为HBM显存表示 究竟上,3.2Gbps的第三代HBM2起初已经过三星和SK海力士提出,并改名为HBM2E,这种说法也获得了JEDEC默认。 在JESD235C尺度宣布的同时,三星公布,名为Flashbolt(前两代名为Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)存储芯片将在上半年量产,单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。 三星的第三代HBM2E乃至支持超频,单针脚可加快到4.2Gbps,单仓库最大带宽从而升至538GB/s。 (编辑:河北网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |