将存储芯片容量提升1000倍！三星资助的团队研究出新方法

蔚山国立科学技能学院传授李俊熙 

据韩国先驱报（The Korea Herald）报道，韩国技能信息部内地时刻周四公布该国的一个研究小组发明白一种将存储芯片的存储容量进步1000倍的要领，同时进步了操作0.5纳米工艺技能的也许性。

蔚山国立科学技能学院（Ulsan National Institute of Science and Technology，UNIST）能源与化学工程传授李准熙及其团队已将这一发明颁发在国际学术期刊《科学》上，并引起了偕行及半导体行业的存眷。

UNIST团队由三星科学技能基金会扶助，该团队的最新发明，将能使芯片制造商操作一种新的物理征象来制造更小的芯片，可能将数据存储容量扩展1000倍。

据报道，李准熙传授教育的UNIST团队的研究发明白一种可以节制半导体原料中的单个原子，并进一步增进微芯片存储量以及打破芯片域尺寸极限的要领。（注：域是指成千上万个原子一路移动以存储二进制数或信号情势的数据的组。因为该规模的特征，很难在保持存储容量的同时将存储芯片的制造工艺技能从当前的10nm级进一步缩小。）

UNIST团队发明，通过将一滴电荷加到一种名为铁电氧化ha（ferroelectric hafnium oxide，或HfO2）的半导体原料中，就可以节制四个单独的原子来存储1位数据（1 bit of data）。这就意味着，假如公道，可以实现一个闪存模组中每平方厘米可以存储500 TB的数据量，师当前闪存芯片的1,000倍。

（编辑：河北网）

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