站在“新基建”海潮上的第三代半导体财富 （下）

光刻事变道理：将芯片计划国界先建造在光掩膜板上（凡是是氧化铬板），再以光掩膜版作为否决，对晶圆上涂覆的光刻胶举办曝光。被曝光的地区化学性子改变，通过显影去除后，计划国界即转移到被掩膜版否决的光刻胶上。

掩膜板的最小线宽根基上抉择了芯片的要害尺寸，也就是工艺节点，因此光刻是芯片制造中最要害的装备。

光刻机行业高度齐集，荷兰ASML、日本尼康和佳能三足把持。ASML是行业霸主，在EUV和浸润式高端光刻机市场独家把持。尼康和佳能则首要占有中低端市场。

光刻装备的焦点部件首要包罗光源、光学透镜组、瞄准体系。光源的波长越短，可到达的最小线宽判别率越低 ，装备单价也越高。

其余进步光刻判别率的首要技能有移相掩膜(PSM)、相近效应批改(OPC)、驻波效应批改(SWC)、浸润式光刻(Immersion)、双重曝光(Double Patterning)、运算光刻等。

光刻胶原料必需与光源匹配，也是抉摘要害尺寸的很是重要的身分，一样平常由光刻装备厂商和光刻胶厂商相助开拓。

对付GaN和SiC而言，其芯片制程没有成长到40nm以下的先辈制程，因此产线对光刻装备的要求相对Si CMOS集成电路而言要低许多。

刻蚀(Etching)

刻蚀是用化学或物理要领有选择地从硅片外貌去除不必要的原料的进程。刻蚀的根基方针是在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形。

光刻功效假如不及格，可以将光刻胶掩膜洗掉从头举办光刻，以是是可逆的，而刻蚀是不行逆的，一旦刻蚀步调失败，整个晶圆即报废，给晶圆厂造成很大经济丧失。因而今蚀装备的工艺一再性要求极高。

资料来历：中微半导体招股书

刻蚀工艺通过刻蚀装备来实现。干法刻蚀是刻蚀制程的绝对主流，其道理是通过等离子体对证料的物理轰击激活，并同时产生化学回响，发生可挥发的产品，到达对证料的去除。

按照差异的刻蚀原料和布局，必要行使的刻蚀化学气体和物理前提有极大差别，因而今蚀装备在出产线上也是专用水平极高，在差异原料系统之间险些不行能复用。

资料来历：行业访谈

薄膜沉积 (Deposition)

薄膜沉积装备的浸染是在基底原料长举办薄膜的沉积，这些差异原料的薄膜构与外延原料一路，组成了芯片的根基原料布局。

凡是芯片的制造进程会用到几十次薄膜沉积制程，差异原料的薄膜有绝缘、导电、掩膜、发光、物理支撑等多种用途。

半导体装备行业名堂和首要装备厂商

总体来看，芯片制造的绝大大都焦点装备都被海外厂商把持，具有极高的技能壁垒。2018年，前五家企业 AMAT、ASML、Lam Research、TEL、KLA市占率合计为 71%。

凭证装备种类细分，每一类装备产物也被前1-4家公司寡头把持。

要害工艺的焦点装备是第三代半导体芯片成长的一个重要身分。

封装

封装是把建造集成电路之后的晶圆转变为一个个芯片制品的进程。封装厂独立于晶圆制造厂，行使尺度化的工艺流程和多种专门装备。

封装测试的焦点装备毛利率远高于非焦点装备，今朝仍被海外公司把持。中低端封装装备国产化率较高。

对付GaN和SiC芯片，封装技能与情势与Si芯片相同。且因为不必用最先辈的制程，也不必要BGA、CSP、WLP等先辈封装技能。可是因为高温、高频等特征，其详细封装原料选择等方面也存在必然的技能knowhow。

（编辑：河北网）

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