第三代HBM2E显存发布：针脚带宽增进33%至3.2Gbps 三星首发

第三代HBM2的电压和上一版同等，为1.2V，比第一代的1.35V有所降落。

简朴较量下，常见高端独显回收的256bit GDDR6，凭证14Gbps的针脚带宽计较，总带宽448GB/s，也就是第三代HBM2一个仓库的程度。

思量到HBM2更轻易扩充总线宽度，GDDR6矫枉过正，何况单仓库最大容量就能到达24GB，四仓库直逼100GB。

图为HBM显存表示

究竟上，3.2Gbps的第三代HBM2起初已经过三星和SK海力士提出，并改名为HBM2E，这种说法也获得了JEDEC默认。

在JESD235C尺度宣布的同时，三星公布，名为Flashbolt（前两代名为Flarebolt和Aquabolt）的第三代HBM2（HBM2E）存储芯片将在上半年量产，单颗最大容量16GB，由16Gb的单Die通过8层堆叠而成。

三星的第三代HBM2E乃至支持超频，单针脚可加快到4.2Gbps，单仓库最大带宽从而升至538GB/s。

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（编辑：河北网）

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