国内首家DRAM供应商诞生：10nm级工艺 月产能将占全球3%

长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，将出产国产第一代10nm工艺级8Gb DDR4内存芯片，并得到了工信部旗下检测机构中国电子技能尺度化研究院的量产良率检测陈诉。

该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速率会晋升到40000晶圆/月，或许能占到环球内存产能的3%。

今朝长鑫存储海内独一的竞争敌手是清华紫光，它打算于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂，间隔量产还要3-5年时刻。

就在前几天，长鑫存储技能有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今天连系公布，就原内存制造商奇梦达开拓的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited告竣专利容许协媾和专利采购协议，长鑫收成大量原奇梦达内存专利。

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（编辑：河北网）

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